■SPLAG(その4)
単体的密度限界とは,稜の長さが2rのn次元正則単体の頂点に半径rの球を描いたときの充填密度dn,外接球Rを描いたときの単体における球の被覆密度Dnのことである.
1辺の長さ√2のn次元正単体の体積が
V=√(1+n)/n!
外接球の半径が
R=√(n/(n+1))
で与えられる.
したがって,辺の長さが2の正単体の体積は
V=√(1+n)/n!・2^(n/2)
外接球の半径は
R=(2n/(n+1))^(1/2)
で与えられる.一方,外接球の半径が1である正単体の1辺の長さは
R={2(1+n)/n}^(1/2)
その体積は
V=√(1+n)/n!・{2(1+n)/n}^(n/2)
となる.
これらのことから,
Dn=(2n/(n+1))^(n/2)dn
の関係が成り立つことは容易に納得できるであろう.
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【1】単体的密度限界の漸近挙動
2次元の最密格子状球充填,最疎格子状球被覆では,
d2=Δ2π/√12,D2=Θ2=2π/√27
であるが,3次元では
d3>Δ3=π/√18,D3<Θ3=5√5π/24
となっている.4次元でも
d4>Δ4=π^2/16,D4<Θ4=2π^2/5√5
である.
単体的密度限界が最密球充填の上界,最疎球被覆の下界となっているのだが,高次元での漸近挙動はどのようになるのだろうか?
ミンコフスキーは,数の幾何学の理論を利用して,
Δ≧ζ(n)/2^(n-1)
を得た.この下界は,
Δ≧nζ(n)/{e(1−e^(-n))2^(n-1)}
で改善されるという.
一方,上界は
Δ≦dn≦1
により,単体的密度限界dnで押さえられるが,すべてのnに対して不等式
dn<(n+2)/2・2^(-n/2)
が成り立つことが示されている.
n→∞のときの漸近挙動としては,
dn 〜(n+1)!e^(n/2-1)/√2Γ(1+n/2)(4n)^(n/2)
〜n/e・2^(-n/2)
がある.この漸近公式によって,粗雑な(n+2)/2はn/eに改善されることになる.
また,
Dn={2n/(n+1)}^(n/2)dn
において,n→∞のとき,
{2n/(n+1)}^(n/2)→e^(-1/2)2^(n/2)
より
Dn 〜 n/e√e
となることわかる.
なお,n次元の凸体(単体を含む)による最密空間充填に対しては,
Σ(n,r)^2=(2n,n)
より,
2/(2n,n)≦Δ≦2^n/(2n,n)
すなわち,
2(n!)^2/(2n!)≦Δ≦2^n(n!)^2/(2n!)
となるが,その漸近挙動はスターリングの公式により,
下界 〜 2√(πn)/4^n
上界 〜 √(πn)/2^n
で与えられる.
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