■SPLAG(その4)

 単体的密度限界とは,稜の長さが2rのn次元正則単体の頂点に半径rの球を描いたときの充填密度dn,外接球Rを描いたときの単体における球の被覆密度Dnのことである.

 1辺の長さ√2のn次元正単体の体積が

  V=√(1+n)/n!

外接球の半径が

  R=√(n/(n+1))

で与えられる.

 したがって,辺の長さが2の正単体の体積は

  V=√(1+n)/n!・2^(n/2)

外接球の半径は

  R=(2n/(n+1))^(1/2)

で与えられる.一方,外接球の半径が1である正単体の1辺の長さは

  R={2(1+n)/n}^(1/2)

その体積は

  V=√(1+n)/n!・{2(1+n)/n}^(n/2)

となる.

 これらのことから,

  Dn=(2n/(n+1))^(n/2)dn

の関係が成り立つことは容易に納得できるであろう.

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【1】単体的密度限界の漸近挙動

 2次元の最密格子状球充填,最疎格子状球被覆では,

  d2=Δ2π/√12,D2=Θ2=2π/√27

であるが,3次元では

  d3>Δ3=π/√18,D3<Θ3=5√5π/24

となっている.4次元でも

  d4>Δ4=π^2/16,D4<Θ4=2π^2/5√5

である.

 単体的密度限界が最密球充填の上界,最疎球被覆の下界となっているのだが,高次元での漸近挙動はどのようになるのだろうか?

 ミンコフスキーは,数の幾何学の理論を利用して,

  Δ≧ζ(n)/2^(n-1)

を得た.この下界は,

  Δ≧nζ(n)/{e(1−e^(-n))2^(n-1)}

で改善されるという.

 一方,上界は

  Δ≦dn≦1

により,単体的密度限界dnで押さえられるが,すべてのnに対して不等式

  dn<(n+2)/2・2^(-n/2)

が成り立つことが示されている.

 n→∞のときの漸近挙動としては,

  dn 〜(n+1)!e^(n/2-1)/√2Γ(1+n/2)(4n)^(n/2)

    〜n/e・2^(-n/2)

がある.この漸近公式によって,粗雑な(n+2)/2はn/eに改善されることになる.

 また,

  Dn={2n/(n+1)}^(n/2)dn

において,n→∞のとき,

  {2n/(n+1)}^(n/2)→e^(-1/2)2^(n/2)

より

  Dn 〜 n/e√e

となることわかる.

 なお,n次元の凸体(単体を含む)による最密空間充填に対しては,

  Σ(n,r)^2=(2n,n)

より,

  2/(2n,n)≦Δ≦2^n/(2n,n)

すなわち,

  2(n!)^2/(2n!)≦Δ≦2^n(n!)^2/(2n!)

となるが,その漸近挙動はスターリングの公式により,

  下界 〜 2√(πn)/4^n

  上界 〜 √(πn)/2^n

で与えられる.

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